Gallium-nitrid GaN

Leírás

Gallium-nitrid GaN, CAS 25617-97-4, molekulatömeg 83,73, wurtzit kristályszerkezet, egy bináris vegyületből álló, közvetlen sávszélességű, III-V csoportba tartozó félvezető, amelyet magasan fejlett ammonotermikus eljárással termesztenek.A tökéletes kristályos minőség, a nagy hővezető képesség, a nagy elektronmobilitás, a nagy kritikus elektromos tér és a széles sávszélesség jellemzi, a Gallium-nitrid GaN kívánatos tulajdonságokkal rendelkezik az optoelektronikai és érzékelő alkalmazásokban.

Alkalmazások

A Gallium Nitride GaN a legmodernebb, nagy sebességű és nagy kapacitású fényes fénykibocsátó diódák LED-alkatrészeinek, lézer- és optoelektronikai eszközöknek, például zöld és kék lézereknek, nagy elektronmobilitású tranzisztoroknak (HEMT-k) és nagy teljesítményű termékek gyártására alkalmas. és a magas hőmérsékletű készülékeket gyártó ipar.

Szállítás

A Gallium Nitride GaN a Western Minmetals (SC) Corporationnél 2 hüvelykes vagy 4 hüvelykes (50 mm, 100 mm) kör alakú ostya és 10 × 10 vagy 10 × 5 mm méretű négyzet alakú ostya formájában szállítható.Bármilyen testreszabott méret és specifikáció tökéletes megoldást kínál ügyfeleink számára világszerte.

Érdeklődni most

Részletek

Címkék

Műszaki specifikáció

Gallium-nitrid GaN

Gallium-nitrid GaNA Western Minmetals (SC) Corporation 2 hüvelykes vagy 4 hüvelykes (50 mm, 100 mm) kör alakú ostyát és 10 × 10 vagy 10 × 5 mm-es négyzet alakú ostyát kínál.Bármilyen testreszabott méret és specifikáció tökéletes megoldást kínál ügyfeleink számára világszerte.

Nem.	Tételek	Szabványos specifikáció
1	Alak	Kör alakú	Kör alakú	Négyzet
2	Méret	2"	4"	--
3	Átmérő mm	50,8±0,5	100±0,5	--
4	Oldal hossz mm	--	--	10x10 vagy 10x5
5	Növekedési módszer	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientáció	C-sík (0001)	C-sík (0001)	C-sík (0001)
7	Vezetőképesség típusa	N-típusú/Si-adalékolt, Nem adalékolt, Félig szigetelő
8	Ellenállás Ω-cm	<0,1, <0,05, >1E6
9	Vastagság μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm max	15	15	15
11	Íj μm max	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Felület kidolgozása	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Felületi érdesség	Elöl: ≤0,2nm, Hátul: 0,5-1,5μm vagy ≤0,2nm
15	Csomagolás	Egyetlen ostyatartó alumínium zacskóba zárva.

Lineáris képlet	GaN
Molekuláris tömeg	83,73
Kristályos szerkezet	Cink keverék/wurtzit
Megjelenés	Átlátszó szilárd anyag
Olvadáspont	2500 °C
Forráspont	N/A
Sűrűség 300K-nál	6,15 g/cm³
Energy Gap	(3,2-3,29) eV 300K-on
Belső ellenállás	>1E8 Ω-cm
CAS szám	25617-97-4
EK-szám	247-129-0

Gallium-nitrid GaNAlkalmas a legmodernebb, nagy sebességű és nagy kapacitású fényes fénykibocsátó diódák LED-alkatrészeinek, lézer- és optoelektronikai eszközöknek, például zöld és kék lézereknek, nagy elektronmobilitású tranzisztorok (HEMT-k) gyártására, valamint nagy teljesítményű és nagy teljesítményű, hőmérsékleti eszközöket gyártó ipar.