Szilícium-karbid SiC

Leírás

Szilícium-karbid ostya SiC, rendkívül kemény, szintetikusan előállított szilícium és szén kristályos vegyülete MOCVD módszerrel, ésegyedülálló széles sávszélessége és egyéb kedvező tulajdonságai: alacsony hőtágulási együttható, magasabb üzemi hőmérséklet, jó hőleadás, kisebb kapcsolási és vezetési veszteségek, energiahatékonyabb, nagy hővezető képesség és erősebb elektromos tér áttörési szilárdság, valamint koncentráltabb áramok állapot.A Western Minmetals (SC) Corporation szilícium-karbid szilícium-karbonát 2″ 3' 4" és 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) átmérőjű méretben, n-típusú, félszigetelő vagy próbalappal ipari használatra és laboratóriumi alkalmazások. Bármely testreszabott specifikáció tökéletes megoldást kínál ügyfeleink számára világszerte.

Alkalmazások

A kiváló minőségű 4H/6H szilícium-karbid SiC lapka tökéletes számos élvonalbeli, kiváló gyors, magas hőmérsékletű és nagyfeszültségű elektronikai eszköz gyártásához, mint például Schottky diódák és SBD, nagy teljesítményű kapcsoló MOSFET-ek és JFET-ek stb. szintén kívánatos anyag a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok és tirisztorok kutatásában és fejlesztésében.Kiemelkedő új generációs félvezető anyagként a szilícium-karbid szilícium-karbid lapka hatékony hőelosztóként is szolgál a nagy teljesítményű LED-ek alkatrészeiben, vagy stabil és népszerű szubsztrátumként szolgál a GaN réteg növekedéséhez a jövőbeni célzott tudományos kutatások érdekében.

Érdeklődni most

Részletek

Címkék

Műszaki specifikáció

Szilícium-karbid SiC

Szilícium-karbid SiCa Western Minmetals (SC) Corporation 2″ 3' 4" és 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) átmérőjű méretben, n-típusú, félszigetelő vagy próbalappal ipari és laboratóriumi alkalmazásra. .Minden testreszabott specifikáció tökéletes megoldást kínál ügyfeleink számára világszerte.

Lineáris képlet	Sic
Molekuláris tömeg	40.1
Kristályos szerkezet	Wurtzite
Megjelenés	Szilárd
Olvadáspont	3103±40K
Forráspont	N/A
Sűrűség 300K-nál	3,21 g/cm³
Energy Gap	(3,00-3,23) eV
Belső ellenállás	>1E5 Ω-cm
CAS szám	409-21-2
EK-szám	206-991-8

Nem.	Tételek	Szabványos specifikáció
1	SiC méret	2"	3"	4"	6"
2	Átmérő mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Növekedési módszer	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Vezetőképesség típusa	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Ellenállás Ω-cm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Orientáció	0°±0,5°;4,0° <1120> irányába
7	Vastagság μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Elsődleges lakás helye	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Elsődleges lapos hossz mm	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Másodlagos lakás helye	Szilícium oldallal felfelé: 90°, az óramutató járásával megegyező irányban az alaplaptól ±5,0°
11	Másodlagos lapos hossz mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm max	15	15	15	15
13	Íj μm max	40	40	40	40
14	Vetedés μm max	60	60	60	60
15	Élkizárás mm max	1	2	3	3
16	Mikrocső Sűrűség cm-2	<5, ipari;<15, labor;<50, bábu
17	Dislokáció cm-2	<3000, ipari;<20000, labor;<500 000, fiktív
18	Felületi érdesség nm max	1 (polírozott), 0,5 (CMP)
19	Repedések	Nincs, ipari minőségű
20	Hatszögletű lemezek	Nincs, ipari minőségű
21	Karcolások	≤3 mm, a teljes hossza kisebb, mint a hordozó átmérője
22	Edge Chips	Nincs, ipari minőségű
23	Csomagolás	Egyetlen ostyatartó alumínium kompozit zacskóban.

Szilícium-karbid SiC 4H/6HA kiváló minőségű ostya tökéletes számos élvonalbeli, kiváló gyors, magas hőmérsékletű és nagyfeszültségű elektronikai eszköz gyártásához, mint például Schottky-diódák és SBD-k, nagy teljesítményű kapcsoló MOSFET-ek és JFET-ek stb. szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok és tirisztorok kutatása és fejlesztése.Kiemelkedő új generációs félvezető anyagként a szilícium-karbid szilícium-karbid lapka hatékony hőelosztóként is szolgál a nagy teljesítményű LED-ek alkatrészeiben, vagy stabil és népszerű szubsztrátumként szolgál a GaN réteg növekedéséhez a jövőbeni célzott tudományos kutatások érdekében.