Indium-arzenid InAs

Leírás

Az indium-arzenid InAs kristály egy III-V csoportba tartozó összetett félvezető, amelyet legalább 6N 7N tiszta indium és arzén elemmel szintetizáltak, és VGF vagy Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) eljárással egykristályokká nőttek, szürke színű megjelenésű, köbös kristályok cinkkeverék szerkezettel. , olvadáspontja 942 °C.Az indium-arzenid sávszélesség a gallium-arzeniddel azonos közvetlen átmenet, és a tiltott sávszélesség 0,45 eV (300 K).Az InAs kristály elektromos paraméterei nagy egyenletességgel, állandó ráccsal, nagy elektronmobilitással és alacsony hibasűrűséggel rendelkeznek.A VGF vagy LEC által növesztett hengeres InAs kristály szeletelhető és vágott, maratott, polírozott vagy epitaxiális növekedésre kész ostyává alakítható.

Alkalmazások

Az indium-arzenid kristályos ostya kiváló szubsztrát Hall eszközök és mágneses térérzékelők készítéséhez a kiemelkedő Hall mobilitása, de keskeny energiasávja miatt, ideális anyag az 1–3,8 µm hullámhossz-tartományú infravörös detektorok építéséhez, amelyeket nagyobb teljesítményű alkalmazásokban használnak. szobahőmérsékleten, valamint közepes hullámhosszú infravörös szuperrácsos lézerek, közép-infravörös LED-ek készülékek gyártása annak 2-14 μm hullámhossz-tartományához.Ezenkívül az InAs ideális szubsztrát a heterogén InGaAs, InAsSb, InAsPSb és InNAsSb vagy AlGaSb szuperrácsszerkezet stb.

Érdeklődni most

Részletek

Címkék

Műszaki specifikáció

Indium-arzenid

InAs

Indium-arzenid kristályostyakiváló szubsztrát Hall-eszközök és mágneses térérzékelők készítéséhez a kiemelkedő csarnoki mobilitás, de szűk energiasáv miatt, ideális anyag az 1–3,8 µm hullámhossz-tartományú infravörös detektorok építéséhez, amelyeket szobahőmérsékleten nagyobb teljesítményű alkalmazásokban használnak. valamint közepes hullámhosszú infravörös szuperrácslézerek, közép-infravörös LED-ek gyártása a 2-14 μm hullámhossz-tartományhoz.Ezenkívül az InAs ideális szubsztrát a heterogén InGaAs, InAsSb, InAsPSb és InNAsSb vagy AlGaSb szuperrácsszerkezet stb. támogatására.

Nem.	Tételek	Szabványos specifikáció
1	Méret	2"	3"	4"
2	Átmérő mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Növekedési módszer	LEC	LEC	LEC
4	Vezetőképesség	P-típusú/Zn-adalékolt, N-típusú/S-adalékolt, Nem adalékolt
5	Orientáció	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Vastagság μm	500±25	600±25	800±25
7	Tájolás Lapos mm	16±2	22±2	32±2
8	Azonosítás Lapos mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitás cm2/Vs	60-300, ≥2000 vagy igény szerint
10	Hordozókoncentráció cm-3	(3-80)E17 vagy ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Íj μm max	10	10	10
13	Vetedés μm max	15	15	15
14	Diszlokációs sűrűség cm-2 max	1000	2000	5000
15	Felület kidolgozása	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Csomagolás	Egyetlen ostyatartó alumínium zacskóba zárva.

Lineáris képlet	InAs
Molekuláris tömeg	189,74
Kristályos szerkezet	Cink keverék
Megjelenés	Szürke kristályos szilárd anyag
Olvadáspont	(936-942) °C
Forráspont	N/A
Sűrűség 300K-nál	5,67 g/cm³
Energy Gap	0,354 eV
Belső ellenállás	0,16 Ω-cm
CAS szám	1303-11-3
EK-szám	215-115-3

Indium-arzenid InAsa Western Minmetals (SC) Corporationnél polikristályos csomó vagy egykristály vágott, maratott, polírozott vagy epi-ready ostyaként szállítható 2” 3” és 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) átmérőjű, és p-típusú, n-típusú vagy adalékolatlan vezetőképesség és <111> vagy <100> orientáció.A testreszabott specifikáció tökéletes megoldást kínál ügyfeleink számára világszerte.